T1G4012036-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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Qorvo的t1g4012036-fl是120 W（p3db）宽带输入预匹配的离散GaN-on-SiC HEMT由DC至3.5 GHz和36-50v供电轨。该设备是一个行业标准的空气腔封装，非常适合军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲和线性操作。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
特别应用：
民用雷达
干扰器
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器
产品目录

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 18.4 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 36 V
Id-连续漏极电流: 12 A
输出功率: 24 W
最大漏极/栅极电压: - 2.9 V
Pd-功率耗散: 117 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3.3 GHz
产品: GaN RF Power Transistors
系列: T1G
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1096176

Vds-漏源极击穿电压

36 V

Id-连续漏极电流

12 A

输出功率

24 W

漏极/栅极电压

- 2.9 V

供应T1G4012036-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管