T1G3000532-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Qorvo的t1g3000532-sm是5 W（p3db）宽带输入匹配的离散GaN-on-SiC HEMT在30MHz～3.5GHz和32v供电轨。该装置是在一个空气腔的QFN封装，非常适合军用和民用雷达、地面移动和军事无线电通信、航空电子设备、测试仪器。该器件可以支持脉冲和线性操作。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
特别应用
民用雷达
干扰器
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器
关键性能
频率范围：30mhz-3.5ghz
输出功率（p3db）：5.7w在3.0ghz
线性增益：15.7db典型在3 GHz
典型的pae3db：64.7%在3 GHz
工作电压：32v
低热阻封装
连续脉冲

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 15.7 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V
Id-连续漏极电流: 0.6 A
输出功率: 5.7 W
Pd-功率耗散: 9.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-32
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
开发套件: T1G3000532-SM-EVB
工作频率: 0.03 GHz to 3.5 GHz
产品: RF Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 50 Ohms
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1112209
单位重量: 188.600 mg

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

32 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 2.7 V

Id-连续漏极电流

0.6 A

供应T1G3000532-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管