T1G2028536-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 18 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 36 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 24 A
输出功率: 260 W
最大漏极/栅极电压: 48 V
最大工作温度: + 250 C
Pd-功率耗散: 288 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
工作频率: 2 GHz
产品: RF Power Transistor
系列: T1G
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT

零件号别名: 1110346

特别应用
航空电子设备
民用雷达
全球定位系统
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器
产品目录

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

36 V

Vgs-栅源极击穿电压

145 V

Id-连续漏极电流

24 A

供应T1G2028536-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管