T1G2028536-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Qorvo的t1g2028536-fl是285 W（p3db）离散GaN-on-SiC HEMT由DC至2 GHz。
该装置是tqgan25hv Qorvo证明构建的过程中，它具有先进的场板技术在高漏极偏压操作条件优化的功率和效率。这种优化可能会降低系统成本方面的放大器线UPS和较低的热管理成本。
特别应用
航空电子设备
民用雷达
全球定位系统
军用雷达
专业和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器

关键性能
频率：直流至2 GHz
输出功率（p3db）：260 W在1.2 GHz
线性增益：18分贝在1.2 GHz
工作电压：36伏
低热阻封装

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 20.8 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 36 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 24 A
输出功率: 260 W
最大漏极/栅极电压: 48 V
最大工作温度: + 275 C
Pd-功率耗散: 288 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
工作频率: 2 GHz
产品: RF Power Transistor
系列: T1G
工厂包装数量: 25
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1111394

频率值(MHz)

2,000

增益(dB)

19

Psat(dBm)

54.2

漏极效率(%)

54

供应T1G2028536-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管