制造商:ON 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-92-3 晶体管极性:PNP 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 集电极—基极电压 VCBO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极—射极饱和电压:0.5 V 最大直流电集电极电流:0.1 A 最大工作温度:+ 150 C 商标:ON Semiconductor 集电极连续电流:0.1 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:150 高度:5.33 mm 长度:5.2 mm 最小工作温度:- 55 C 封装:Bulk Pd-功率耗散:625 mW 宽度:4.19 mm
