DMC3025LSD-13 SOP8 MOS场效应管

DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.5 A, 4.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms, 38 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 9.8 nC, 10.5 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: DMC3025  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 5.8 ns, 12.4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.2 ns, 4.9 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 16.6 ns, 28.4 ns  

典型接通延迟时间: 3.9 ns, 6.8 ns  

单位重量: 74 mg

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.5 A, 4.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms, 38 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 9.8 nC, 10.5 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.2 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: DMC3025  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 5.8 ns, 12.4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.2 ns, 4.9 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 16.6 ns, 28.4 ns  

典型接通延迟时间: 3.9 ns, 6.8 ns  

单位重量: 74 mg