DMC3021LSD-13 SOP8 MOS场效应管

DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 8.5 A, 7 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 7.8 nC, 21.1 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3021  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 8.55 ns, 22.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.5 ns, 6.5 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26.3 ns, 50.1 ns  

典型接通延迟时间: 5 ns, 10.1 ns  

单位重量: 74 mg

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 8.5 A, 7 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 7.8 nC, 21.1 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Dual

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

产品: MOSFET Small Signal  

系列: DMC3021  

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

下降时间: 8.55 ns, 22.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 4.5 ns, 6.5 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26.3 ns, 50.1 ns  

典型接通延迟时间: 5 ns, 10.1 ns  

单位重量: 74 mg