供应场效应管 2N7002 SOT-23 国产 115mA/60V N沟道

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  • 大小:1556.64KB
  • 厂家:金誉
  • 描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  • 其它有关文件:2N7002 View All Specifications
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:43pF @ 25V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-3111-6
  • 型号/规格

    场效应管 2N7002 SOT-23 国产 115mA/60V N沟道

    品牌/商标

    商品品牌:国产

    封装形式

    封装规格:SOT-23

    环保类别

    无铅环保型

    安装方式

    直插式

    包装方式

    盒带编带包装

    功率特性

    超大功率

    频率特性

    超高频

    极性

    PNP型