安森美PZT751T1G 双极晶体管

安森美PZT751T1G双极晶体管相关资料：

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V   发射极 - 基极电压 VEBO:5 V   最大直流电集电极电流:2 A    最大工作温度:+ 150 C

集成电路：集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

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安森美PZT751T1G双极晶体管由南电科技供应，

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