安森美MMBFU310LT1G场效应管

安森美MMBFU310LT1G场效应管相关资料：

Vds-漏源极击穿电压:25 V     Vgs-栅源极击穿电压 :25 V   Vgs=0时的漏-源电流:24 mA to 60 mA

场效应管：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

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