供应 DMG1012T-7 SOT-523 KUU 场效应管

品牌
美台
封装
SOT-523
批号
新批号
数量
10010
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
630 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Qg-栅极电荷
736.6 pC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
通道模式
Enhancement
配置
Single
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG1012
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.7 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
2 mg
可售卖地
全国
型号
DMG1012T-7

DMG1012T-7 SOT-523 KUU 场效应管

DMG1012T-7 SOT-523 KUU 场效应管

DMG1012T-7 SOT-523 KUU 场效应管
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