供应 FDN335N SOT-23 UMW(友台半导体) 场效应管

品牌： ON
型号： FDN335N
封装： SOT-23(TO-236)
批号： 新批号
数量： 20000
制造商： ON Semiconductor
产品种类： MOSFET
RoHS： 是
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SSOT-3
通道数量： 1 Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 20 V
Id-连续漏极电流： 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻： 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压： 8 V
小工作温度： - 55 C
大工作温度： + 150 C
Pd-功率耗散： 500 mW (1/2 W)
配置： Single
通道模式： Enhancement
高度： 1.12 mm
长度： 2.9 mm
系列： FDN335N
晶体管类型： 1 N-Channel
宽度： 1.4 mm
正向跨导 - 小值： 7 S
下降时间： 8.5 ns
上升时间： 8.5 ns
典型关闭延迟时间： 11 ns
典型接通延迟时间： 5 ns
单位重量： 30 m

FDN335N SOT-23 UMW(友台半导体) 场效应管

FDN335N SOT-23 UMW(友台半导体) 场效应管

FDN335N SOT-23 UMW(友台半导体) 场效应管
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