供应 FDMS3669S Power-56-8 onsemi(安森美) 场效应管

品牌： ON/安森美
型号： FDMS3669S
封装： QFN8
批号： 新批号
数量： 6000
描述： MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）： 1（无限）
原厂标准交货期： 16 周
详细描述： MOSFET-阵列-2-N-沟道（双）非对称型-30V-13A-18A-1W-表面贴装型-Power56
数据列表： FDMS3669S;
标准包装： 3,000
包装： 标准卷带
零件状态： 有源
类别： 分立半导体产品
产品族： 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列： PowerTrench?
其它名称： FDMS3669STR
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，18A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）： 10 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）： 2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）： 24nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）： 1605pF @ 15V
功率 - 大值： 1W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： Power56

FDMS3669S Power-56-8 onsemi(安森美) 场效应管

FDMS3669S Power-56-8 onsemi(安森美) 场效应管

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