供应 SI2369DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

品牌： VISHAY/威世
型号： SI2369DS-T1-GE3
封装： SOT-23
批号： 新批号
数量： 10000
制造商： Vishay
产品种类： MOSFET
RoHS： 是
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-23-3
晶体管极性： P-Channel
通道数量： 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压： 30 V
Id-连续漏极电流： 7.6 A
Rds On-漏源导通电阻： 29 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V
Qg-栅极电荷： 17 nC
小工作温度： - 55 C
大工作温度： + 150 C
Pd-功率耗散： 2.5 W
通道模式： Enhancement
配置： Single
高度： 1.45 mm
长度： 2.9 mm
系列： SI2
晶体管类型： 1 P-Channel
宽度： 1.6 mm
正向跨导 - 小值： 18 S
下降时间： 6 ns
上升时间： 4 ns
典型关闭延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 13 ns
单位重量： 8 mg

SI2369DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

SI2369DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

SI2369DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管
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