供应 SUD19P06-60-GE3 TO-252-2 VISHAY(威世) 场效应管

品牌
VISHAY/威世
封装
TO-252-3
批号
新批号
数量
100000
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.3 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Qg-栅极电荷
26 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
SUD
晶体管类型
1 P-Channel
正向跨导 - 小值
22 S
下降时间
30 ns
上升时间
9 ns
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
1.438 g
可售卖地
全国
型号
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 TO-252-2 VISHAY(威世) 场效应管

SUD19P06-60-GE3 TO-252-2 VISHAY(威世) 场效应管 SUD19P06-60-GE3 TO-252-2 VISHAY(威世) 场效应管
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