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产品属性
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品牌
IRInfineon(英飞凌)
封装
SOP8
批号
新批号
数量
11500
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.32 V
Qg-栅极电荷
34 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
正向跨导 - 小值
77 S
下降时间
13 ns
上升时间
6.7 ns
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
可售卖地
全国
型号
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF SOP-8 Infineon(英飞凌) 场效应管
IRF7832TRPBF SOP-8 Infineon(英飞凌) 场效应管
IRF7832TRPBF SOP-8 Infineon(英飞凌) 场效应管
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IRF7832TRPBF
SOP-8
Infineon(英飞凌)
新年份
11500
供应 LTM8026IV#PBF BGA ADI(亚德诺) 电源模块
供应 EP3C10F256C8N BGA-256 Intel/Altera 可编程逻辑器件
供应 WPN252012HR24MT 1008 Sunlord(顺络) 功率电感
供应 LTM8021IV#PBF LGA-35 ADI(亚德诺) 电源模块
供应 STM8S903K3T6C LQFP-32 ST(意法半导体) 单片机/MCU
供应 MC74HC00ADR2G SOIC-14 onsemi(安森美) 逻辑门
供应 SMN-303 SMD XUNPU(讯普) SIM卡连接器
供应 TEF6686HNV102K HVQFN-32 NXP(恩智浦) 无线收发芯片
供应 NCE4435 SOP-8 NCE(无锡新洁能) 场效应管
供应 T491A104K035AT CASE-A-3216 KEMET(基美) 钽电容