供应 DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管

品牌
美台
封装
X1-DFN1006-3
数量
20000
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
DMN65
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
6.29 ns
上升时间
3.15 ns
典型关闭延迟时间
12.025 ns
典型接通延迟时间
3.27 ns
单位重量
10 g
可售卖地
全国
型号
DMN65D8LFb-7B DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管

DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管 DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管
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