供应 Si2302CDS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

品牌
VISHAY/威世
封装
SOT23-3
批号
新批号
数量
15000
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Qg-栅极电荷
3.5 nC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
860 mW
通道模式
Enhancement
系列
SI2
配置
Single
下降时间
7 ns
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
上升时间
7 ns
晶体管类型
30 ns
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
1.6 mm
宽度
SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3
零件号别名
8 mg
可售卖地
全国
型号
SI2302CDS-T1-GE3

Si2302CDS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

Si2302CDS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

Si2302CDS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管
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