供应 BSN20BKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

品牌： NEXPERIA/安世
型号： BSN20BKR
封装： SOT-23
批号： 新批号
数量： 300000
类别： 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商： Nexperia USA Inc.
FET 类型： N 通道
漏源电压（Vdss）： 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 265mA（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）： 2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）： 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）： 0.49 nC @ 4.5 V
Vgs（大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）： 20.2 pF @ 30 V
功率耗散（大值）： 310mW（Ta）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BSN20BKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

BSN20BKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管

BSN20BKR SOT-23 Nexperia(安世) 场效应管
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