供应 CSD13381F4 SOP TI(德州仪器) 场效应管

制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
1060 pC
小工作温度
- 55 C
大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13381F4
晶体管类型
1 N-Channel FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
下降时间
3.8 ns
上升时间
1.5 ns
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
0.400 mg
可售卖地
全国
型号 CSD13381F4 SOP TI CSD13381F4 SOP TI
CSD13381F4 CSD13381F4 SOP TI
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