SISS10ADN-T1-GE3 集成电路IC

工厂包装数量:3000

新闻资料：

      威世硅尼克斯 TrenchFET® 第四代 N 沟道 MOSFET 是威世新一代 TrenchFET®系列 N 沟道 MOSFET。这些新器件采用新的高密度设计，SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、SiSA04DN 具有业界较低导通电阻（在 4.5V 下低至 1.35 mΩ）和低总栅极电荷，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8封装。 特性包括极低 RDS(on)，这转化为更低导通损耗，从而降低功耗；非常低的 Qdg/Qgs 比例：0.5 或更低；节省空间的 PowerPAK® 1212-8 封装，以三分之一的大小实现了相近效率。典型应用有大功率直流-直流转换器、同步整流、同步降压转换器或 OR-ing。

SISS10ADN-T1-GE3  集成电路IC 产品图片：

SISS10ADN-T1-GE3  集成电路IC 工作电路图：