SISH114ADN-T1-GE3 集成电路IC 介绍：
产品种类:集成电路IC
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8SH-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET; PowerPAK
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:50 S
下降时间:7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8 ns
工厂包装数量:3000
SISH114ADN-T1-GE3 集成电路IC 新闻资料：
威世硅尼克斯 TrenchFET® 第四代 N 沟道 MOSFET 是威世新一代 TrenchFET®系列 N 沟道 MOSFET。这些新器件采用新的高密度设计，SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP、SiSA04DN 具有业界较低导通电阻（在 4.5V 下低至 1.35 mΩ）和低总栅极电荷，采用 PowerPAK® SO-8 和 1212-8封装。 特性包括极低 RDS(on)，这转化为更低导通损耗，从而降低功耗；非常低的 Qdg/Qgs 比例：0.5 或更低；节省空间的 PowerPAK® 1212-8 封装，以三分之一的大小实现了相近效率。典型应用有大功率直流-直流转换器、同步整流、同步降压转换器或 OR-ing。
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：
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SISH114ADN-T1-GE3 集成电路IC 产品图片：
SISH114ADN-T1-GE3 集成电路IC 工作电路图：
