LMG1210RVRR 门驱动器

LMG1210RVRR介绍：

制造商: Texas Instruments

产品种类: 门驱动器  

产品: MOSFET Gate Drivers

类型: High Side, Low Side

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: WQFN-19

激励器数量: 2 Driver

输出端数量: 2 Output

输出电流: 3 A

电源电压-最小: 4.75 V

电源电压-最大: 18 V

工作电源电流: 380 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: LMG1210

工作温度范围: - 40 C to + 125 C  

输出电压: 5 V  

逻辑类型: TTL  

空闲时间—最大值: 18 ns  

最大关闭延迟时间: 18 ns  

最大开启延迟时间: 18 ns  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: Gate Drivers  

Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms  

工厂包装数量: 3000

新闻资料：

1说明：

1•最高50兆赫操作

•10 ns典型传播延迟

•3.4-ns高侧到低侧匹配

•最小脉冲宽度为4ns

•两个控制输入选项

–具有可调死区时间的单脉冲宽度调制输入

–独立输入模式

•1.5-A峰值电源和3-A峰值陷波电流

•外部自举二极管灵活

•适用于电压轨的内部LDO

•高300-V/ns cmti

•HO至LO电容小于1 pF

•uvlo和超温保护

•低电感WQFN封装

2应用

•高速DC-DC转换器

•射频包络跟踪

•D级音频放大器

•E类无线充电

•高精度电机控制

3说明：

     LMG1210是一个200-V半桥MOSFET和氮化镓场效应晶体管为超高频、高效率设计的驱动器具有可调功能的应用程序死区能力，非常小的传播延迟，和3.4-ns高端低端匹配以优化系统效率。此部分还具有内部确保栅极驱动电压为5-V的LDO不考虑电源电压。在各种应用程序，LMG1210允许设计者选择最佳的自举二极管充电高压侧自举电容器。内部开关转动当低压侧关闭时，引导二极管关闭，有效防止高端引导过充和最小化反向恢复充电。附加寄生电容氮化镓场效应晶体管被最小化到小于1 pF以减少额外的开关损耗。

     LMG1210具有两种控制输入模式：独立输入模式（IIM）和脉宽调制模式。在IIM中

每个输出都由专用输入。在脉宽调制模式下，两者互补输出信号由单输入，用户可以调整死区时间每边从0到20 ns。LMG1210在-40°C的温度范围内工作至125°C，以低电感WQFN提供包裹。

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