FGH60N60SMD IGBT 晶体管

FGH60N60SMD  IGBT 晶体管 介绍：

产品种类: IGBT 晶体管

封装 / 箱体: TO-247

安装风格: Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

栅极—射极漏泄电流: 400 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 450  

子类别: IGBTs  

单位重量: 6.390 g  

FGH60N60SMD  IGBT 晶体管 新闻资料：

       在半导体场阻（FS）IGBTs提供最佳的性能与低传导和开关损耗。这些IGBTs具有高电流处理能力、正温度系数、参数分布紧密、安全工作范围广等特点。FS-igbt具有更高的击穿电压，提高了负环境温度下的可靠性。随着温度的降低，IGBT和FRD的阻断电压也随之降低，这使得这种器件特别适合在寒冷气候下使用的光伏太阳能逆变器。这些igbt提供快速和软恢复，降低功耗，实现低开关损耗。

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