供应晶体三级管STP26NM60N 600V 20A TO-220 原装现货

STMicroelectronics- STMicroelectronics 是一家独立的全球化半导体公司，也是微电子应用领域中半导体解决方案开发和供应的领导者。

凭借在硅晶和系统专业知识、强大的制造能力、知识产权 (IP) 组合以及战略合作伙伴等多方面无与伦比的组合，公司一直处于片上系统 (SoC) 技术领域的前沿，并使其产品在推动当今大融合趋势的过程中发挥关键作用

品牌：    STM

型号：      STP26NM60N

描述  

MOSFET N-CH 600V

20A TO-220

详细描述       通孔 N 沟道 pval(2068) 20A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

参数资料

数据列表       STB,F,P26NM60N;

管装     50/PCS一管

类别   分立半导体产品

产品族          晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列   MDmesh™ II

规格

FET 类型      N 沟道

技术   MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）   600V

电流

- 连续漏极（Id）（25°C 时）      20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）       10V

不同

Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）  165 毫欧 @ 10A，10V

不同

Id 时的 Vgs（th）（最大值）       4V @ 250μA

不同

Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）     60nC @ 10V

Vgs（最大值）        ±30V

不同

Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）      1800pF @ 50V

FET 功能      -

功率耗散（最大值）          140W（Tc）

工作温度       150°C（TJ）

安装类型       通孔

供应商器件封装       TO-220AB

封装/外壳     TO-220-3