Infineon TechnologiesMOSFET IRFR430APBF
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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制造商: | Vishay | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | |
Id-连续漏极电流: | 5 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 1.7 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tube | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | Vishay Semiconductors | |
配置: | Single | |
下降时间: | 16 ns | |
高度: | 2.39 mm | |
长度: | 6.73 mm | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 110 W | |
上升时间: | 27 ns | |
工厂包装数量: | 3000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 17 ns | |
典型接通延迟时间: | 8.7 ns | |
宽度: | 6.22 mm | |
单位重量: | 1.438 g |
IRFR430APBF
IR
TO-252-3
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
超大功率