Infineon TechnologiesMOSFET IRFR430APBF

地区:广东 深圳
认证:

深圳市新明佳电子有限公司

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制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 16 ns
高度: 2.39 mm
长度: 6.73 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 110 W
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 1.438 g
型号/规格

IRFR430APBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

超大功率