MOSFET 2N7002K-T1-GE3
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 300 mA | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2 Ohms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Qg-栅极电荷: | 0.4 nC | |
| 最大工作温度: | + 125 C | |
| 封装: | Reel | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 配置: | Single | |
| 正向跨导 - 最小值: | 100 mS | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| Pd-功率耗散: | 350 mW | |
| 系列: | 2N7002 | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 25 ns | |
| 零件号别名: | 2N7002K-GE3 | |
| 单位重量: | 1.438 g |
2N7002K-T1-GE3
IR
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
超大功率
