VISHAY原装正品SI3441BDV-T1-E3

一般信息

数据列表	SI3441BDV
标准包装	3,000
包装	标准卷带
类别	分立半导体产品
产品族	FET - 单
系列	TrenchFET®
其它名称	SI3441BDV-T1-E3TR SI3441BDVT1E3

规格

FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.45A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 3.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
功率 - 最大值	860mW
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装	6-TSOP

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型号/规格

SI3441BDV-T1-E3

品牌/商标

Vishay Siliconix

封装形式

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率