开关MOS 1N60

描述

UTC 1 n60高压MOSFET和设计

有更好的特性,如快速开关时间、低门

收费,低开态阻力和崎岖的高

雪崩特性。这种功率MOSFET通常使用

高速开关应用在电源、PWM电机

控制,高效直流对直流转换器和桥电路。

特性

* VDS公司= 600 v

* ID = 1.2

* RDS()= 11.5Ω@vgs = 10 v。

*超低闸极电荷(典型的5.0数控)

*反向传输电容低(crs =典型3.0 pF)

*快速交换能力

*雪崩能量指定

*改善dv / dt能力,高强度