NPN硅功率
N P N guī 硅 gōng 功 lǜ 率
TRANSISTOR
晶体管
jīng 晶 tǐ 体 guǎn 管
?
DESCRIPTION
？描述
？ miáo 描 shù 述
These
devices are designed for high-voltage, high-speed
这些设备是专为高电压，高速
zhè 这 xiē 些 shè 设 bèi 备 shì 是 zhuān 专 wèi 为 gāo 高 diàn 电 yā 压 ， gāo 高 sù 速
power
switching inductive circuits where fall time is critical. They
功率开关电感电路的下降时间是至关重要的。他们
gōng 功 lǜ 率 kāi 开 guān 关 diàn 电 gǎn 感 diàn 电 lù 路 de 的 xià 下 jiàng 降 shí 时 jiān 间 shì 是 zhì 至 guān 关 zhòng 重 yào 要 de 的 。 tā 他 men 们
are
particularly suited for 115 and 220V applications in switch
特别适合应用在开关115和220V
tè 特 bié 别 shì 适 hé 合 yīng 应 yòng 用 zài 在 kāi 开 guān 关 1 1 5 hé 和 2 2 0 V
mode.
模式。
mó 模 shì 式 。
?
FEATURES
？特征
？ tè 特 zhēng 征
* Reverse
biased SOA with inductive load @ T C =100°C
*反向偏置SOA与感性负载@ T C = 100°C
* fǎn 反 xiàng 向 piān 偏 zhì 置 S O A yǔ 与 gǎn 感 xìng 性 fù 负 zài 载 @ T C = 1 0 0 ° C
*
Inductive switching matrix 0.5 ~ 1.5 Amp, 25 and 100°C
*感应开关矩阵0.5
1.5安培，25和100°
* gǎn 感 yìng 应 kāi 开 guān 关 jǔ 矩 zhèn 阵 0 . 5 1 . 5 ān 安 péi 培 ， 2 5 hé 和 1 0 0 °
Typical t
C = 290ns @ 1A, 100°C.
典型的T C = 290ns @ 1a，100°C.
diǎn 典 xíng 型 de 的 T C = 2 9 0 n s @ 1 a ， 1 0 0 ° C .
* 700V
blocking capability
* 700V的阻断能力
* 7 0 0 V de 的 zǔ 阻 duàn 断 néng 能 lì 力
?
APPLICATIONS
？应用
？ yìng 应 yòng 用
*
Switching regulator’s, inverters
*开关稳压器、逆变器
* kāi 开 guān 关 wěn 稳 yā 压 qì 器 、 nì 逆 biàn 变 qì 器
* Motor
controls
*电机控制
* diàn 电 jī 机 kòng 控 zhì 制
*
Solenoid/relay drivers
*电磁/继电器驱动
* diàn 电 cí 磁 / jì 继 diàn 电 qì 器 qū 驱 dòng 动
*
Deflection circuits
*偏转电路
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