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产品属性
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FDH055N15A 产品说明
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,
这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDH055N15A 产品特性
RDS(on) = 4.8mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 120A
快速开关速度
低栅极电荷,QG = 92nC(典型值)
高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准
FDH055N15A 产品应用
用于ATX/服务器/电信/PSU的同步整流
电池保护电路
电机驱动和不间断电源
微型太阳能逆变器
FAIRCHILD FSC
FDH055N15A
TO247
65600
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