W25Q80DVSIG 串口式 NOR 型闪存

W25Q80DVSIG特性

家庭SpiFlash的产品的记忆

- W25Q80 ： 8M位/ 1M - 字节（ 1,048,576 ）

- W25Q16 ： 16M位/ 2M字节（ 2,097,152 ）

- W25Q32 ： 32M比特/ 4M字节（ 4,194,304 ）

- 每个可编程页256个字节

标准,双核或四SPI

– Standard SPI: CLK, /CS, DI, DO, /WP, /Hold

– Dual SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /Hold

– Quad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3

最高的性能串行闪存

- 截至普通串行闪存的6倍

- 80MHz的时钟操作

- 相当于160MHz的双通道SPI

- 320MHz的相当于四SPI

- 40MB / S的连续数据传输率

- 30MB / S随机访问（ 32字节取）

- 堪比X16并行闪存

低功耗，宽温度范围

- 单2.7至3.6V电源供电

- 4毫安有功电流， <1μA掉电（典型值）。

- -40 ° C至+ 85 ° C的工作范围

灵活的架构与4KB扇区

- 统一扇区擦除（ 4K字节）

- 块擦除（ 32K和64K字节）

- 计划一个256个字节

- 高达100,000次擦/写

- 20年的数据保留

高级安全功能

- 软件和硬件写保护

- 顶部或底部，部门或块选择(1)

- 向下锁定和保护OTP

- 64位唯一ID为每个设备(1)

注1 ：

这些功能是在特殊的顺序。

请与华邦的细节。

节省空间的封装

- 8引脚SOIC 208密耳

- 8 - 垫WSON引脚6x5毫米（ W25Q80 & W25Q16 ）

-16引脚SOIC 300mil的（ W25Q16 & W25Q32 ）

W25Q80DVSIG概述

该W25Q80 （ 8M位） ， W25Q16 （ 16M位） ，以及W25Q32 （ 32M位）串行闪存提供对于有限的空间，引脚和电源系统的存储解决方案。该25Q系列提供的灵活性和性能远远超出普通的串行闪存器件。他们是理想的阴影到RAM的代码，直接从双代码执行/四路SPI （ XIP ）和存储的语音，文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源，具有电流消耗低至5毫安积极运作1μA的关断模式。所有器件均采用节省空间的封装。

该W25Q80 / 16/32阵列是由256个字节4096 / 8192 / 16384可编程页每一个。多达256个字节可以一次使用的页编程指令进行编程。网页可以在图16（扇区擦除）基团， 128 （32KB块擦除）基， 256个组（64KB被擦除块擦除）或整个芯片（芯片擦除） 。该W25Q80 / 16/ 32有256/512/1024可擦除扇区分别16/32/64擦除块。小4KB扇区允许在更大的灵活性应用程序需要的数据和参数存储。 （见图2 ）

该W25Q80 / 16/32支持标准串行外围接口（SPI ）和高性能双核/四输出，以及双核/四核使用的I / O SPI SPI接口：串行时钟，片选，串行数据I / O0 （DI）， I / O1 （DO ），I / O 2 （ / WP）和I / O3 （ / HOLD） 。高达80MHz的SPI时钟频率是支持允许160MHz的等效时钟频率为双路输出，并为320MHz的四路输出使用快速读取双核/四输出指令时。这些传输速率可媲美这些8位和16位并行Flash存储器。

一抱脚，写保护引脚和可编程写保护，与顶部或底部阵列控制，提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准的制造商和设备标识与64位唯一序列号。