IPD60R380C6 N沟道 10.6A 600V

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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IPD60R380C6资料 


制造商:Infineon最小包装量:2500PCS封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63包装:Tape & Reel (TR)类别:FET - 单路无铅情况/RoHS:符合产品描述:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252参数数值系列CoolMOS™封装/外壳TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63功率 - 最大值83W不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)700pF @ 100V不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)32nC @ 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 320μA不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)380 mOhm @ 3.8A, 10VFET 功能StandardFET 类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide漏源极电压 (Vdss)600V


最新到货情况:

2018年4月17日  IPD60R380C6 到货16K

2018年5月2日    IPD60R380C6到货22K


品牌

英飞凌

型号

IPD60R380C6

封装

TO252

库存

65600

单价

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