IPD060N03LG MOS场效应管

IPD060N03LG参数：

类别：MOSFET

制造商零件编号：IPD060N03LG

描述：Infineon MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

订购数量：1

Id-连续漏极电流：- 70 A

Vds-漏源极击穿电压：- 30 V

Rds On-漏源导通电阻：6.8 mOhms

晶体管极性：P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 ：20 V

Qg-栅极电荷：68 nC

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：100 W

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：DPAK-3

封装：Reel

配置：Single

下降时间：31 ns

最小工作温度：- 55 C

上升时间：100 ns

系列：OptiMOS P3

工厂包装数量：2500

典型关闭延迟时间：84 nS

零件号别名：IPD068P03L3GBTMA1 SP

IPD060N03LG应用广泛 价格实惠