STB155N3LH6 沟道 MOSFET 晶体管

STB155N3LH6 产品技术参数：通道类型N最大连续漏极电流80 A最大漏源电压30 V最大漏源电阻值4 mΩ最大栅源电压±20 V封装类型TO-263安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散110 W典型关断延迟时间100 ns每片芯片元件数目1宽度10.4mm典型输入电容值@Vds3800 pF V @ 25典型栅极电荷@Vgs80 nC V @ 10典型接通延迟时间15 ns尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm长度10.75mm工作温度-55 °C高度4.6mm最高工作温度+175 °C                

STB155N3LH6 80 A, Vds=30 V, 3针 TO-263封装

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