TK20A60W 功率MOS管 原装特价

TK20A60W

应用程序

•开关稳压器

TK20A60W

产品特性

(1)低漏源电阻:RDS(ON)=0.13

Ω(typ)。

用于超连接结构:DTMOS

(2)易于控制门开关

(3)增强模式:Vth=2.7到3.7 V(VDS=10v，I

D = 1 mA)

TK20A60W

包装和内部电路

TK20A60W

产品一般信息

数据列表TK20A60W;标准包装50类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）48nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1680pF @ 300VVgs（最大值）±30VFET 功能-功率耗散（最大值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）155 毫欧 @ 10A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220SIS封装/外壳TO-220-3 全封装，隔离接片