IRF8010PBF 功率MOS管 原装特价

IRF8010PBF

产品应用

高频直流-直流转换器

UPS和电机控制

无铅

IRF8010PBF

产品好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含有效的COSS为简化设计， （见应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压和电流

典型RDS （ ON）= 12mΩ

IRF8010PBF

产品信息

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF8010

产品一般信息

数据列表IRF8010PbF;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）120nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3830pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）260W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）15 毫欧 @ 45A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3