IRF9Z34NPBF 功率MOS管 原装特价

IRF9Z34NPBF

产品特点

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

全额定雪崩

LEAD -FREE

IRF9Z34NPBF

产品描述

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功率耗散水平到约50瓦。低热电阻和TO- 220封装的低费用促进整个公司的广泛认可业。

IRF9Z34NPBF

产品详细信息

P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF9Z34NPBF

产品一般信息

数据列表IRF9Z34NPbF;标准包装50包装管件类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型P 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）620pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）68W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）100 毫欧 @ 10A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3