FDMC7680 18 A, Vds=30 V 特价 原装进口

FDMC7680

产品概述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

FDMC7680

产品特性

VGS = 10 V，ID = 14.8 A时，最大rDS(on) = 7.2 mΩ

VGS = 4.5 V，ID = 12.4 A时，最大rDS(on) = 9.5 mΩ

通态电阻rDS(on)极低的高性能技术

终端是符合RoHS标准的无铅产品

FDMC7680

产品原理图

FDMC7680

一般信息

数据列表FDMC7680;标准包装3,000包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）14.8A (Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）42nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2855pF @ 15VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.3W（Ta），31W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.2 毫欧 @ 14.8A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装8-MLP（3.3x3.3）封装/外壳8-PowerWDFN