AOD516 30V/46A AOS TO252 场效应MOS管

概述

最新的沟道功率MOSFET技术

非常低的RDS（on ）在4.5VGS

低栅极电荷

高电流能力

RoHS和无卤的

AOD516参数

VDS                   30V

ID (at VGS=10V) 46A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 5mΩ

RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 10mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AOD516应用

计算机中的DC / DC转换器

在电信和工业隔离DC / DC转换器

AOD516产品概述

AOD516产品一般信息

数据列表AOD516/AOI516;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1229pF @ 15VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），50W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）5 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63