IRF3205 55V/110A 场效应MOS管

特点

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt评级

操作温度175°C

快速切换

完全雪崩额定Des

IRF3205描述

先进的HEXFET®从国际的功率MOSFET整流器采用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和加固设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知为，为设计者提供了一个非常有效和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功耗水平到大约50瓦。的低热阻和在TO- 220封装低的成本促进其广泛接受整个行业。

IRF3205产品原理图

IRF3205绝对最大额定参数

IRF3205一般信息

数据列表IRF3205;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）146nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3247pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）200W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 毫欧 @ 62A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3