SPW20N60C3 650V/20.7A 功率MOSFET

SPW20N60C3特性

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

改进的跨导

SPW20N60C3产品原理图

SPW20N60C3产品详细信息

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

SPW20N60C3产品一般信息

数据列表SPW20N60C3;标准包装240包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列CoolMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.9V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）114nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2400pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）208W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）190 毫欧 @ 13.1A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装PG-TO247-3封装/外壳TO-247-3