IPP60R099CP 650V/31A 功率MOS管

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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IPP60R099CP产品特性

•全球最佳RDS ,ON在TO220

•超低栅极电荷

•至尊的dv / dt评分

•高峰值电流能力

•根据JEDEC合格1)为目标的应用

•无铅引脚镀层;符合RoHS标准

IPP60R099CP产品详细信息

Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IPP60R099CP产品一般信息

数据列表IPP60R099CP;标准包装500包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列CoolMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)31A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1.2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2800pF @ 100VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)255W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)99 毫欧 @ 18A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔封装PG-TO-220-3封装/外壳TO-220-3



品牌

INFINEON

型号

IPP60R099CP

封装

TO220

库存

65600

单价

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