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产品属性
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IPP60R099CP产品特性
•全球最佳RDS ,ON在TO220
•超低栅极电荷
•至尊的dv / dt评分
•高峰值电流能力
•根据JEDEC合格1)为目标的应用
•无铅引脚镀层;符合RoHS标准
IPP60R099CP产品详细信息
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
IPP60R099CP产品一般信息
数据列表IPP60R099CP;标准包装500包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列CoolMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)650V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)31A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1.2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2800pF @ 100VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)255W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)99 毫欧 @ 18A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型通孔封装PG-TO-220-3封装/外壳TO-220-3
INFINEON
IPP60R099CP
TO220
65600
请来电
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