FDA50N50 500V/48A 高压MOSFET

FDA50N50产品描述

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

FDA50N50产品特性

RDS(on) = 56mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 29.5A

低栅极电荷（典型值 77nC）

低 Crss（典型值 80pF）

100% 经过雪崩击穿测试

FDA50N50产品一般信息

数据列表FDA50N50, FDH50N50;标准包装30包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列UniFET™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）48A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）137nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6460pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）625W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）105 毫欧 @ 24A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装TO-3PN封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3