IRF640NS 18A 200V TO263贴片 场效应管

IRF640NS特点

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

易于并联的

简单的驱动要求

Lead-Free

IRF640NS描述

第五代HEXFET®从功率MOSFET国际整流器利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻元硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置各种应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功耗水平到大约50瓦。的低热阻和在TO- 220封装低的成本促进其广泛接受整个行业。

D2Pak是表面挂载能力包能容纳HEX-4模具尺寸。它提供了最高的权力能力和尽可能低的onresistance任何现有的表面安装包。D2Pak适用于高电流应用程序由于其较低的内部连接电阻,可以驱散2.0 w在典型的表面安装应用程序。

通孔版(IRF640NL)是用于lowprofile应用程序。

IRF640NS原理图

IRF640NS产品一般信息

数据列表IRF640N(S,L)PbF;标准包装800包装标准卷带类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）67nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1160pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）150W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）150 毫欧 @ 11A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D2PAK封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB