TK10P60W 600V 9.7A 功率MOSFET

开关稳压器

TK10P60W

产品特性

(1)低漏源极导通电阻:RDS(ON)= 0.327Ω(typ)。

通过使用超结结构:DTMOS

(2)容易控制门开关

(3)增强模式:Vth = 2.7到3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)

TK10P60W

包装和内部电路

TK10P60W

产品参数

数据列表TK10P60W;标准包装2,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列DTMOSIV规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.7V @ 500μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）700pF @ 300VVgs（最大值）±30VFET 功能超级结功率耗散（最大值）80W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）430 毫欧 @ 4.9A，10V工作温度150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63