FDV301N 25V SOT-23 N沟道数字FET

FDV301N产品概述

此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻，这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

FDV301N产品特性

25 V，0.22 A持续电流，0.5 A峰值电流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。

栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。

栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。

使用一个DMOS FET代替多个NPN数字晶体管。

FDV301N产品原理图

FDV301N产品参数

数据列表FDV301N;

Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）25V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）220mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.06V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）9.5pF @ 10VVgs（最大值）±8VFET 功能-功率耗散（最大值）350mW（Ta）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4 欧姆 @ 400mA，4.5V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3