FDMSV N沟道QFN 功率MOS管

数据列表FDMS86200;标准包装3,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）150V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）9.6A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）46nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2715pF @ 75VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），104W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）18 毫欧 @ 9.6A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装Power56封装/外壳8-PowerTDFNFDMS86200概述

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

FDMS86200特性

栅极屏蔽 MOSFET 技术

VGS = 10V，ID = 9.6A时，最大rDS(on) = 18mΩ

VGS = 6V，ID = 8.8A时，最大rDS(on) = 21mΩ

先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率

MSL1 耐用封装设计

100%经过UIL测试

符合 RoHS 标准