IRFP460APBF 500V/20A TO-247 功率MOSFET

IRFP460APBF特性

•低闸极电荷路上导致简单的驱动要求

•改善门,雪崩和动态dV / dt强度

•完全具有电容和雪崩电压和电流

•有效输出电容指定

•符合RoHS指令2002/95 / EC

IRFP460APBF应用

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源

•高速功率切换

典型SMPS拓扑

=全桥

• PFC升压

IRFP460APBF一般信息数据列表IRFP460A;标准包装500包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列-其它名称*IRFP460A

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）500V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）20A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）105nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3100pF @ 25VFET 功能-功率耗散（最大值）280W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）270 毫欧 @ 12A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3封装/外壳TO-247-3