IRFZ24NPBF N沟道TO-220 功率MOSFET

IRFZ24NPBF特性

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

IRFZ24NPBF概述

第五代功率MOSFET从国际整流器利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供用在各种各样的一个非常有效的装置，用于使用的应用程序。

在TO- 220封装普遍首选的所有商业工业应用的功率耗散水平到约50瓦。在低热阻和TO-220封装低的成本导致其广泛接受整个行业。

IRFZ24NPBF一般信息

数据列表IRFZ24NPbF;标准包装50包装管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）370pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）45W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）70 毫欧 @ 10A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3